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NTR4501N, NVR4501N
350
300
250
200
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5.0
4.0
3.0
V DS
Q T
V GS
15
12
9
150
2.0
Q GS
Q GD
6
100
50
0
0
2.5
5
7.5
10
C oss
C rss
12.5
15
17.5
20
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
T J = 25 ° C
I D = 3.2 A
2.5
3
0
3.0
100
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage versus Total Charge
4
10
V DS = 10 V
I D = 3.2 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
t r
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(on)
2
t f
1
1
0.1
1
10
100
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
D = 0.5
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
100
10
1
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME, tp (s)
Figure 11. Thermal Response
http://onsemi.com
4
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